（文/赖家琪 编辑/吕栋）

中国存储芯片龙头企业长鑫科技正计划进一步扩大产能。

当地时间8月3日，英国路透社援引两名消息人士的话称，长鑫正考虑在北京建设第二座存储芯片工厂，已与当地政府支持的科技制造产业平台展开融资谈判。

知情人士透露，新工厂拟落地北京经济技术开发区（北京亦庄），距离其已在亦庄运营的一家动态随机存取存储器（DRAM）晶圆厂约20公里。长鑫正向开发区管理机构寻求至少6000万元人民币的资金支持，其他国有科技企业也表达了参与融资的兴趣。

不过，知情人士称，相关谈判仍处于早期阶段，融资规模和具体方案仍可能调整。目前尚不清楚资金将由开发区管理机构直接提供，还是通过旗下投资平台注入。

观察者网就此事联系长鑫方面，对方暂未回应。

8月4日，长鑫科技高开低走，截至午间收盘跌幅为0.53%，市值3.66万亿元。

根据路透社报道，此次北京新厂计划，是长鑫大规模扩张路线的一部分。当前人工智能（AI）基础设施投资热导致全球芯片短缺，长鑫正寻求提升产能。该公司上月底刚进行了首次公开发行（IPO），募资总额达579.19亿元，刷新科创板IPO最高募资纪录。

据路透社此前报道，长鑫正在上海和合肥建设新工厂，并与其他地方政府就新增生产基地展开了讨论。如果这些项目全部投产，公司整体产能有望翻倍，达到每月60万片晶圆以上。

长鑫存储（长鑫科技集团股份有限公司）位于北京亦庄的总部 视觉中国

根据消息人士的说法，长鑫目前在合肥运营着两座12英寸DRAM晶圆厂，在北京运营着一座12英寸晶圆厂，每座工厂月产能约10万片晶圆。按照规划，北京新厂同样将采用12英寸晶圆生产线，主要生产DRAM。

DRAM是电脑、智能手机等电子设备中的核心存储芯片，也是AI时代数据中心建设的重要基础元件。

近两年，随着AI大模型快速发展，全球科技巨头纷纷加码建设数据中心，对高性能存储芯片的需求迅速增长。三星电子、SK海力士和美光科技等全球存储巨头均将现有产能转向利润率更高的高带宽存储器（HBM）和服务器DRAM，致使传统DRAM供应紧张，整个存储市场重新进入涨价周期，这给长鑫提供了增长窗口。

全球行业分析机构Counterpoint Research数据显示，全球DRAM市场长期由三星电子、SK海力士和美光科技主导，三家公司今年第一季度合计占据全球近90%的市场份额。

长鑫紧随其后，已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。根据市场研究机构Omdia的数据，长鑫2025年第四季度全球市场份额达7.67%。野村证券近期指出，长鑫在全球DRAM市场中的份额约10%，预计到2028年底将升至18%。

8月1日，有接近长鑫科技的知情人士对观察者网透露，长鑫的LPDDR6芯片研发验证已接近尾声，距离首发量产更近一步。这意味着，在全球LPDDR6的首发量产竞赛中，中国企业几乎和韩国巨头并驾齐驱。

许多看好长鑫的分析人士认为，在中国推动科技自主化的背景下，该公司有望在DRAM市场抢占份额。

中国市场存在明显供需缺口，长鑫以及其他本土企业有机会填补这一空间。基于未来市场份额增长前景，野村国际控股分析师唐尼·滕（Donnie Teng）给予长鑫116元人民币的目标价，是目前市场分析师中的最高水平。长鑫上市首周股价上涨523%，8月3日收于54.99元人民币/股。

新加坡老虎基金管理公司首席执行官杰里米·陈（Jeremy Tan）指出，IPO融资带来的资金支持，使长鑫“拥有更强的实力扩大供应”。

“正如我们在许多技术领域看到的那样，中国可以迅速赶上。”他说。

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